Transistor-transistor logic
Transistor-Transistor Logic (TTL) è una classe di circuiti digitali integrati costruiti con l'utilizzo di transistor a giunzione bipolare (BJT) e resistori. È chiamata "logica transistor-transistor" perché (a differenza delle tecnologie precedenti, RTL e DTL), sono svolte da transistor sia la funzione di porta logica (ad esempio OR) che quella di amplificazione. È stata la prima tecnologia di circuiti integrati (IC) ad essere diffusa su scala globale in una grande varietà di applicazioni, come... —
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Emitter-coupled logic
In elettronica, l'emitter-coupled logic (logica ad accoppiamento di emettitore), o ECL, è una famiglia logica in cui la corrente è pilotata, attraverso transistor a giunzione bipolare, in due possibili percorsi a secondo dello stato desiderato in uscita, per questo motivo è anche nota come CML (Current Mode Logic).
La caratteristica principale dell'ECL è che i transistor non vanno mai in regione di saturazione e l'escursione di tensione tra livello logico alto e basso è molto bassa: in questo... —
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Serie 7400
La Serie 7400 è un'importante famiglia di circuiti integrati realizzati in tecnologia TTL.
Il primo della serie, l'integrato digitale 7400 (si legge "74 zero zero"), contiene 4 porte logiche NAND, possiede 14 piedini (pin) due dei quali sono uno collegato all'alimentazione +5 V (pin 14) e uno collegato a massa (GND, pin 7) per poter alimentare i transistor che formano il circuito delle porte logiche.
La serie è caratterizzata da una codifica standardizzata:
• Logo del costruttore (nella... —
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Diode-transistor logic
Diode–transistor logic (logica a diodo e transistor) è una famiglia di dispositivi logici che utilizzano per il loro funzionamento diodi, transistor e resistori. Questa famiglia di dispositivi è stata da tempo soppiantata dalla più veloce logica TTL (transistor-transistor logic). La rete a diodi in ingresso svolge la funzione logica mentre il transistor svolge la funzione di stadio pilota.
Come funziona
In figura è raffigurata una porta DTL semplificata con funzione logica NAND. Si ipotizzi... —
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MOSFET
In elettronica, il MOSFET, abbreviazione del termine inglese metal–oxide–semiconductor field-effect transistor, ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo, anche chiamato transistor MOS, MOS-FET o MOS FET, è una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.
I principio di funzionamento del transistor a effetto di campo è stato ideato da Julius Edgar Lilienfeld nel 1925... —
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OTFT
Un OTFT (acronimo di Organic thin film transistor) è un transistor a film sottile ma che è fatto a base di materiale organico. Esistono infatti una serie di materiali organici che hanno la proprietà di comportarsi come dei veri e propri semiconduttori. Questi tipi di materiali sono dei polimeri o più spesso degli oligomeri (ovvero catene polimeriche più corte).
Gli OTFT fanno parte di una nuova categoria di dispositivi elettronici legati ad una branca dell'elettronica più moderna che... —
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Transistor Darlington
In elettronica, un transistor Darlington (spesso chiamato anche coppia Darlington) è un transistor composito costituito da due transistor a giunzione bipolari in cascata. La caratteristica principale di questa configurazione è l'elevatissimo guadagno in corrente (indicato con β o h ), pari al prodotto dei guadagni in corrente dei singoli transistor; i transitor Darlington possono essere realizzati mediante componenti discreti oppure integrati. Sono realizzati anche a gruppi, riuniti in... —
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TT-RAM
La TT-RAM acronimo di “Twin Transistor RAM” o “Twin Transistor Random Access Memory” (in italiano memoria ad accesso casuale a doppio transistor) è un nuovo tipo di memoria informatica in fase di sviluppo presso la Renesas.
Le TT-RAM sono concettualmente simili alle DRAM, ma, a differenza di queste ultime che sono caratterizzate dall’impiego di un condensatore e un transistor per ogni cella di memoria, le TT-RAM si distinguono per l’impiego di due transistor, con il vantaggio di eliminare il... —
Transistor a emettitore comune
In elettronica, il transistor a emettitore comune è una configurazione del transistor a giunzione bipolare usata comunemente come amplificatore. In tale dispositivo l'emettitore è collegato direttamente all'alimentazione, mentre la base si trova alla tensione . La è la tensione di alimentazione del circuito ed è la resistenza di carico. La giunzione di emettitore risulta polarizzata direttamente e quella di collettore inversamente, nella "regione attiva" del transistor.
Noto che:
la... —
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Thin Film Transistor
Thin Film Transistor (TFT), in italiano transistor a pellicola sottile, è una tecnologia applicata ai display piatti a cristalli liquidi (LCD) o ad OLED che vengono in questo modo identificati come display a matrice attiva.
La differenza fondamentale tra un TFT e un pannello LCD tradizionale è il modo in cui viene polarizzato il cristallo liquido. In entrambe le tecnologie le molecole di cristallo liquido si orientano una volta che sono sottoposte ad un campo elettrico, ma mentre negli LCD... —
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Transistor 3D
Con il termine 3D transistor si indica una particolare evoluzione dei transistor tradizionali che non prevede un progetto planare ma tridimensionale. Lo sviluppo di transistor con struttura tridimensionale è portato avanti da diverse società e gruppi di ricerca, tra questi uno dei più attivi è Intel, la cui caratteristica peculiare è quella di contenere non uno, ma 3 "gate".
Nel 2007 Intel aveva annunciato che questo tipo di transistor avrebbe potuto debuttare nel 2009 nei futuri processori... —
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Transistor a giunzione bipolare
In elettronica, il transistor a giunzione bipolare, anche chiamato con l'acronimo BJT, abbreviazione del termine inglese bipolar junction transistor, è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore ed interruttore.
Si tratta di tre strati di materiale semiconduttore drogato, solitamente il silicio, in cui lo strato centrale ha drogaggio opposto agli altri due, in modo da formare una doppia giunzione p-n. Ad ogni strato è... —
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